Vishay丰硕的MOSFET手艺片面撑持功率转换历程，涵盖需求高压输入到高压输出的各类先辈高科技装备。跟着SiHR080N60E的推出，和其他600 V E系列器件的公布，Vishay可在电源体系架构设想早期满意进步能效和功率密度两方面的请求—包罗功率因数校订（PFC）和前面的DC/DC转换器砖式电源。典范使用包罗效劳器、边沿计较、超等计较机、数据存储、UPS、高强度放电（HID）灯和荧光镇流器6t体育官网、通讯SMPS、太阳能逆变器、焊接装备、感到加热、机电驱动，和电池充电器。

　　SiHR080N60E接纳小型PowerPAK 8 x 8LR封装，形状尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度低落66 %。因为封装接纳顶侧冷却，因而具有超卓的热机能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。不异导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而明显进步功率密度。别的，封装的鸥翼引线构造具有优良的温度轮回机能。

　　SiHR080N60E接纳Vishay先辈的高能效E系列超等结手艺，10 V下典范导通电阻仅为0.074 Ω，超低栅极电荷降落到42 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，到达业内先辈程度，这些机能参数意味着低落了传导和开关消耗，从而完成节能并进步2 kW以上电源体系的服从。日前公布的MOSFET有用输出电容Co(er) 和Co(tr)典范值别离仅为79 pF和499 pF，有助于改进硬开关拓扑构造开关机能，如PFC、半桥和双开关顺向设想。封装还供给开尔文（Kelvin）毗连，以进步开关服从。

　　器件契合RoHS尺度，无卤素，耐受雪崩形式下过压瞬变，并包管极限值100 %经由过程UIS测试。

　　SiHR080N60E现可供给样品并已完成量产，如想理解供货周期的相干信息，请与本地贩卖部联络。

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